北京科華微電子材料有限公司參加SPIE報道

         2019年2月24號到28號，一年一度的SPIE Advanced Lithography在San Jose如期舉行，北京科華微電子材料有限公司的技術人員也參加了這一業內的技術盛會。

   IBM公司的Dario Gil博士以《The future is Quantum》的主題報告為大會做了開場白，以量子比特為基礎的量子計算機，相比傳統的計算機系統，具有更強的計算能力，可以用于需要大量計算力的應用場景，在化學、材料、機器學習等領域有巨大的潛力。Dario博士介紹了IBM Q System One的設計及性能，同時提出IBM將開放IBM Q Network，為會員提供基于量子計算機的云計算服務。來自ASML的Steven Steen 和來自LAM的Bart van Schravendijk 合作介紹了材料、工藝及設備如何共同合作來解決先進3D NAND制程中遇到的挑戰，這也展示了接近物理極限的集成電路制造在面臨越來越嚴峻的挑戰時，只有材料、工藝與設備共同開發才能繼續推進摩爾定律。

   材料方面的進展包括，IM公司提出的Multi Trigger Resist(MTR)，是一種不含金屬離子，且只有高吸光 性的負性光刻膠體系，感光速度約49mJ，實現了16.8nm的CD，LWR為2.62nm。PiBond介紹了基于Si的EUV光刻膠及Underlayer體系，這一體系實現了18.3nm的CD，LWR達2.8nm。Grant Wilson課題級介紹了最新的Pitch Division光刻膠的進展，通過Pitch Division技術可以在365nm波長下實現更小的分辨率，從化學上通過設計PAG及PBG并優化其比例可以將I線光刻的分辨率提高一倍。

   工藝上，Stanford大學的Stacey介紹了自對準單分子層原子沉積（SAM-ALD）技術的發展及如何通過材料的優化來改進ALD過程中的缺陷；而IBM公司的Rudy則報道了通過工藝的改進及優化來減小ALD過程的缺陷的進展；DuPont公司的Peter介紹了Spin on doping工藝的應用，通過Spin on工藝來優化ALD的工藝窗口，減少缺陷及提高對不同金屬的沉積適應性。

   機理研究上，Stochastics仍然是研究的熱點，Chris Mack在其報告中指出Stochastics將是制約集成電路制造向更小線寬發展的關鍵點，近50年的時間里LER/LWR沒有明顯的提高，但是隨著最小線寬的為斷減小，LER及LWR在線寬中占的比重越來越大，其影響也越來越大。在此基礎上，越來越多的研究人員將重點放在Stochastics對工藝的影響上，IBM及IMEC的研究人員分析了由Stochastics引起的缺陷及改進方案。

   總體而言， 隨著集成電路制造工藝進入7nm及5nm，EUV逐步被業界所接受。同時，掩膜板的制造及測試、光刻膠的設計與開發、EUV光刻機性能上都有了長足的進步，TSMC、Intel都宣布了EUV應用的計劃，預計2019年第二季度，EUV將正式進入量產階段。

   關于Moore定律是否即將結束還沒有定論，可以確定的是在推動Moore定律的過程中，材料、設備及工藝的創新將持續進行，通過技術創新將Moore定律的精神傳承下去。

   今年還有一個特殊的事件，即光刻膠界的泰斗Grant Wilson宣布退休，會議也將整個周四下午的時段作為Special Session以紀念Grant Wilson為業界做出的貢獻，Grant Wilson的工作激勵了一代又一代的光刻膠人，在此作為參加過Grant Wilson課程的筆者，也感謝他對Advanced Lithography的貢獻，祝他如享受光刻膠材料的開發般享受他豐富多彩的退休生活。