北京科華微電子材料有限公司參加SPIE報道

         2019年2月24號到28號，一年一度的SPIE Advanced Lithography在San Jose如期舉行，北京科華微電子材料有限公司的技術(shù)人員也參加了這一業(yè)內(nèi)的技術(shù)盛會。

   IBM公司的Dario Gil博士以《The future is Quantum》的主題報告為大會做了開場白，以量子比特為基礎(chǔ)的量子計算機，相比傳統(tǒng)的計算機系統(tǒng)，具有更強的計算能力，可以用于需要大量計算力的應(yīng)用場景，在化學、材料、機器學習等領(lǐng)域有巨大的潛力。Dario博士介紹了IBM Q System One的設(shè)計及性能，同時提出IBM將開放IBM Q Network，為會員提供基于量子計算機的云計算服務(wù)。來自ASML的Steven Steen 和來自LAM的Bart van Schravendijk 合作介紹了材料、工藝及設(shè)備如何共同合作來解決先進3D NAND制程中遇到的挑戰(zhàn)，這也展示了接近物理極限的集成電路制造在面臨越來越嚴峻的挑戰(zhàn)時，只有材料、工藝與設(shè)備共同開發(fā)才能繼續(xù)推進摩爾定律。

   材料方面的進展包括，IM公司提出的Multi Trigger Resist(MTR)，是一種不含金屬離子，且只有高吸光 性的負性光刻膠體系，感光速度約49mJ，實現(xiàn)了16.8nm的CD，LWR為2.62nm。PiBond介紹了基于Si的EUV光刻膠及Underlayer體系，這一體系實現(xiàn)了18.3nm的CD，LWR達2.8nm。Grant Wilson課題級介紹了最新的Pitch Division光刻膠的進展，通過Pitch Division技術(shù)可以在365nm波長下實現(xiàn)更小的分辨率，從化學上通過設(shè)計PAG及PBG并優(yōu)化其比例可以將I線光刻的分辨率提高一倍。

   工藝上，Stanford大學的Stacey介紹了自對準單分子層原子沉積（SAM-ALD）技術(shù)的發(fā)展及如何通過材料的優(yōu)化來改進ALD過程中的缺陷；而IBM公司的Rudy則報道了通過工藝的改進及優(yōu)化來減小ALD過程的缺陷的進展；DuPont公司的Peter介紹了Spin on doping工藝的應(yīng)用，通過Spin on工藝來優(yōu)化ALD的工藝窗口，減少缺陷及提高對不同金屬的沉積適應(yīng)性。

   機理研究上，Stochastics仍然是研究的熱點，Chris Mack在其報告中指出Stochastics將是制約集成電路制造向更小線寬發(fā)展的關(guān)鍵點，近50年的時間里LER/LWR沒有明顯的提高，但是隨著最小線寬的為斷減小，LER及LWR在線寬中占的比重越來越大，其影響也越來越大。在此基礎(chǔ)上，越來越多的研究人員將重點放在Stochastics對工藝的影響上，IBM及IMEC的研究人員分析了由Stochastics引起的缺陷及改進方案。

   總體而言， 隨著集成電路制造工藝進入7nm及5nm，EUV逐步被業(yè)界所接受。同時，掩膜板的制造及測試、光刻膠的設(shè)計與開發(fā)、EUV光刻機性能上都有了長足的進步，TSMC、Intel都宣布了EUV應(yīng)用的計劃，預(yù)計2019年第二季度，EUV將正式進入量產(chǎn)階段。

   關(guān)于Moore定律是否即將結(jié)束還沒有定論，可以確定的是在推動Moore定律的過程中，材料、設(shè)備及工藝的創(chuàng)新將持續(xù)進行，通過技術(shù)創(chuàng)新將Moore定律的精神傳承下去。

   今年還有一個特殊的事件，即光刻膠界的泰斗Grant Wilson宣布退休，會議也將整個周四下午的時段作為Special Session以紀念Grant Wilson為業(yè)界做出的貢獻，Grant Wilson的工作激勵了一代又一代的光刻膠人，在此作為參加過Grant Wilson課程的筆者，也感謝他對Advanced Lithography的貢獻，祝他如享受光刻膠材料的開發(fā)般享受他豐富多彩的退休生活。